ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี R504120TS
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - R504120TS คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - R504120TS
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1000 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology R504120TS
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | R504120TS | R5030818FSWA | R50410 | R504140 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Powerex Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1200 V | 45 mA @ 800 V | 75 µA @ 100 V | 75 µA @ 1400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1000 A | 1.65 V @ 470 A | 1.25 V @ 1000 A | 1.25 V @ 1000 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 300A | 175A | 300A | 300A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AB (DO-9) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AB (DO-9) | DO-205AB (DO-9) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 800 V | 100 V | 1400 V |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล R504120TS PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ R504120TS - Microchip Technology
R5030818FSWAPowerex Inc.DIODE GP REV 800V 175A DO205AAR50410Microchip TechnologyDIODE GP REV 100V 300A DO205ABR504140TSMSCIGBT ModuleR504140Microchip TechnologyDIODE GP REV 1.4KV 300A DO205ABR50420TSMicrochip TechnologyDIODE GP 200V 300A DO205AB DO9R50420Microchip TechnologyDIODE GP REV 200V 300A DO205ABR5031018FSWAPowerex Inc.DIODE GP REV 1KV 175A DO205AAR504160MSCIGBT ModuleR5031413LSWAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 125A DO205AAR504100Microchip TechnologyDIODE GP REV 1KV 300A DO205ABR504180MSCIGBT ModuleR50440Microchip TechnologyDIODE GP REV 400V 300A DO205ABR5031218FSWAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 175A DO205AAR504120Microchip TechnologyDIODE GP REV 1.2KV 300A DO205ABR504100TSMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 300A DO205ABR50430Microchip TechnologySTD RECTIFIERR504160TSMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1.6KV 300A DO205ABR5031418FSWAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 175A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที