ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี TN2106K1-G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - TN2106K1-G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - TN2106K1-G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-236AB (SOT23) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 360mW (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 280mA (Tj) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TN2106 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology TN2106K1-G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | TN2106K1-G | TN2124K1-G | TN2106N3-G | TN2130K1-G |
ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TN2106 | TN2124 | TN2106 | TN2130 |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 240 V | 60 V | 300 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ชุด | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-236AB (SOT23) | TO-236AB (SOT23) | TO-92-3 | TO-236AB (SOT23) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2.4V @ 1mA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 280mA (Tj) | 134mA (Tj) | 300mA (Tj) | 85mA (Tj) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 3V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 500mA, 10V | 15Ohm @ 120mA, 4.5V | 2.5Ohm @ 500mA, 10V | 25Ohm @ 120mA, 4.5V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 360mW (Tc) | 360mW (Tc) | 740mW (Tc) | 360mW (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล TN2106K1-G PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ TN2106K1-G - Microchip Technology
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที