ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UES706
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - UES706 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - UES706
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UES706 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology UES706
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UES706 | UES804 | UES802R | UES705 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 400 V | - | 25 µA @ 100 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-203AA (DO-4) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 50A | 70A | 20A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 20 A | 1.25 V @ 50 A | - | 1.25 V @ 20 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UES706 | - | UES802 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 200 V | 100 V | 300 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล UES706 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ UES706 - Microchip Technology
UES804Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 50A DO5UES802RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5UES705Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 20A DO203AAUES801Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5UES705RMicrochip TechnologyRECTIFIERUES803Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5UES803Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 70A DO5UES702RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 25A DO203AAUES706HR2Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 20A DO4UES802Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 70A DO5UES801RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO5UES705HR2MSCIGBT ModuleUES706RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 20A DO203AAUES703RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 25A DO203AAUES702HR2MSCIGBT ModuleUES803RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 70A DO5UES703Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 25A DO203AAUES704Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 20A DO203AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที