ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT44K64M18RB-093E:A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT44K64M18RB-093E:A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT44K64M18RB-093E:A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.28V ~ 1.42V | |
| เทคโนโลยี | RLDRAM 3 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 168-BGA (13.5x13.5) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 168-TBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1.125Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 18 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.066 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT44K64M18 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 8 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-093E:A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT44K64M18RB-093E:A | MT44K16M36RB-107E:B | MT44K32M36RB-107E:A | MT44K16M36RB-125E:A |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1.125Gbit | 576Mbit | 1.125Gbit | 576Mbit |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 168-TBGA | 168-TBGA | 168-TBGA | 168-TBGA |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 18 | 16M x 36 | 32M x 36 | 16M x 36 |
| เทคโนโลยี | RLDRAM 3 | DRAM | RLDRAM 3 | DRAM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| เวลาในการเข้าถึง | 8 ns | 8 ns | 8 ns | 10 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT44K64M18 | MT44K16M36 | MT44K32M36 | MT44K16M36 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.28V ~ 1.42V | 1.28V ~ 1.42V | 1.28V ~ 1.42V | 1.28V ~ 1.42V |
| ความถี่นาฬิกา | 1.066 GHz | 933 MHz | 933 MHz | 800 MHz |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 168-BGA (13.5x13.5) | 168-BGA (13.5x13.5) | 168-BGA (13.5x13.5) | 168-BGA (13.5x13.5) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT44K64M18RB-093E:A PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT44K64M18RB-093E:A - Micron Technology Inc.
MT4501ET-BMAGNTEKMT4435AKTRMOS-TECHMT45MW16BGB-708MICYONMT4501ET-AMAGNTEKMT44K16M36RB-107E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PAR 168BGAMT44K32M36RB-107E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGAMT4599CMT4507AMAGNTEKMT4435AMOS-TECHMT44K16M36RB-125E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGAMT44K32M18RB-093E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PAR 168BGAMT4501BTMAGNTEKMT44K32M36RB-107EA D9THRMicron TechnologyMT4435ACTRMTMT45SU16P1YYIGBT ModuleMT45E4MW16BBB-706WTMTMT4435L2UCTRMOSTECHMT4506AMEGATEK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที