ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT58L512L18FS-10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT58L512L18FS-10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT58L512L18FS-10
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3.135V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 100-TQFP (14x20.1) | |
| ชุด | SYNCBURST™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 100-LQFP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 18 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 66 MHz | |
| เวลาในการเข้าถึง | 10 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT58L512L18FS-10
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT58L512L18FS-10 | MT58L256L36PT-6 | MT58L256V32PS-7.5 | MT58L256V36PS-6 |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | SRAM - Standard | SRAM - Synchronous | SRAM - Standard | SRAM - Standard |
| เวลาในการเข้าถึง | 10 ns | 3.5 ns | 4 ns | 3.5 ns |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 100-TQFP (14x20.1) | 100-TQFP (14x20.1) | 100-TQFP (14x20.1) | 100-TQFP (14x20.1) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3.135V ~ 3.6V | 3.135V ~ 3.6V | 3.135V ~ 3.6V | 3.135V ~ 3.6V |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 18 | 256K x 36 | 256K x 32 | 256K x 36 |
| ความถี่นาฬิกา | 66 MHz | 166 MHz | 133 MHz | 166 MHz |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | SYNCBURST™ | SYNCBURST™ | SYNCBURST™ | SYNCBURST™ |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | 8Mbit | 8Mbit | 8Mbit |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 100-LQFP | 100-LQFP | 100-LQFP | 100-LQFP |
MT58L32L32PT-7.5Micron TechnologyMT58L256L36PT-6Micron Technology Inc.IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
MT58L64L18F-10AMTMT58L512Y36PT-7.5MICR0NMT58L256V32PS-7.5Micron Technology Inc.IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFPMT58L256L36P-7.5MTMT58L256V36PS-6Micron Technology Inc.IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFPMT58L64L18CT-10Micron Technology Inc.CACHE SRAM, 64KX18, 5NSMT58L512V18PS-7.5Micron TechnologyMT58L32L32P-75AMTMT58L512L18DT-7.5Micron Technology Inc.IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFPMT58L64L18D-10AMTMT58L512Y32PT-6Micron TechnologyMT58L256L36PT-7.5Micron Technology Inc.IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFPMT58L512L18FS-10AMTMT58L512Y36PT-5Micron Technology Inc.IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFPMT58L32L32FT-10AMicron TechnologyMT58L512V18PS-7.5AMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที