ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6782
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - 2N6782 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - 2N6782
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.25A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 800mW (Ta), 15W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.1 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.5A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation 2N6782
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6782 | 2N6788 | 2N6766 | 2N6756 |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can | TO-205AF Metal Can | TO-204AE | TO-204AA, TO-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.5A (Tc) | 6A (Tc) | 30A (Tc) | 14A (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 200 V | 100 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | TO-39 | TO-3 | TO-204AA |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.1 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 115 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 800mW (Ta), 15W (Tc) | 800mW (Tc) | 4W (Ta), 150W (Tc) | 4W (Ta), 75W (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.25A, 10V | 300mOhm @ 3.5A, 10V | 90mOhm @ 30A, 10V | 210mOhm @ 14A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6782 PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ 2N6782 - Microsemi Corporation
2N6788CDBNSILICONIX2N6788Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 6A TO39
2N6769AMI Semiconductor/onsemi2N6794IR2N6766Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 30A TO32N6726onsemiTRANS PNP 30V 2A TO2372N6725NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 50V 1A TO2372N6756Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 14A TO204AA2N6758 TO-3IR2N6725onsemiTRANS NPN DARL 50V 1A TO2372N6796Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 8A TO392N6786UIR2N6756Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET2N6788JANTXIR2N6730NTE Electronics, IncTRANS PNP 100V 2A TO2372N6796UMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC2N6786Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET2N6784Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 2.25A TO39| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที