ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6849
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - 2N6849 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - 2N6849
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.5A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation 2N6849
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6849 | 2N685 | 2N684 | 2N682A |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Central Semiconductor Corp | Central Semiconductor Corp | Central Semiconductor Corp |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can | TO-208AA, TO-48-3, Stud | TO-208AA, TO-48-3, Stud | TO-208AA, TO-48-3, Stud |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V | - | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | TO-48 | TO-48 | TO-48 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.5A (Tc) | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6849 PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ 2N6849 - Microsemi Corporation
2N685Central Semiconductor CorpSCR 200V 25A TO482N684Central Semiconductor CorpSCR 150V 25A TO482N682ACentral Semiconductor CorpSCR 50V 25A TO482N683Central Semiconductor CorpSCR 100V 25A TO482N686Central Semiconductor CorpSCR 250V 25A TO482N685JANTXIRIGBT Module
2N682ASolid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N683ACentral Semiconductor CorpSCR 100V 25A TO482N685ASolid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N6849JANTXIR2N687Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N684Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N683ASolid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N685ACentral Semiconductor CorpSCR 200V 25A TO482N683AJANTXIRIGBT Module2N686Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N685Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N683Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที