ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT58M50JCU3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT58M50JCU3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT58M50JCU3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 2.5mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 | |
ชุด | POWER MOS 8™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 42A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 543W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10800 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 340 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 58A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT58M50JCU3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT58M50JCU3 | APT56M50B2 | APT58M50J | APT58F50J |
ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10800 pF @ 25 V | 8800 pF @ 25 V | 13500 pF @ 25 V | 13500 pF @ 25 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 42A, 10V | 100mOhm @ 28A, 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 65mOhm @ 42A, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 58A (Tc) | 56A (Tc) | 58A (Tc) | 58A (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 | T-MAX™ | ISOTOP® | ISOTOP® |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 340 nC @ 10 V | 220 nC @ 10 V | 340 nC @ 10 V | 340 nC @ 10 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 543W (Tc) | 780W (Tc) | 540W (Tc) | 540W (Tc) |
ชุด | POWER MOS 8™ | - | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT58M50JCU3 PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT58M50JCU3 - Microsemi Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที