ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT6030BN
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT6030BN คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT6030BN
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | |
| ชุด | POWER MOS IV® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 11.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 360W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3500 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT6030BN
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT6030BN | APT6017JFLL | APT6038BLLG | APT6040BN |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AD | ISOTOP® | TO-247 [B] | TO-247AD |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 360W (Tc) | - | - | 310W (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 210 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 11.5A, 10V | 170mOhm @ 15.5A, 10V | 380mOhm @ 8.5A, 10V | 400mOhm @ 9A, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | - | - | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3500 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 1850 pF @ 25 V | 2950 pF @ 25 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 23A (Tc) | 31A (Tc) | 17A (Tc) | 18A (Tc) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด | POWER MOS IV® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS IV® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | TO-247-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT6030BN PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT6030BN - Microsemi Corporation
APT6030BVFRAPTAPT602JAPTIGBT ModuleAPT6017JLLAPTIGBT ModuleAPT6024JLLAPTIGBT ModuleAPT6021BFLLAPTAPT6017JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 31A ISOTOPAPT6030BVFRGAPTAPT6038BLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 17A TO247APT6040BNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 18A TO247ADAPT6018LNRAPTAPT6038BLLAPTAPT6038BFLLAPTAPT6030JVFRMicrosemiIGBT ModuleAPT6025BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 25A TO247APT6040BVFRGAPTAPT6017LLLAPTIGBT ModuleAPT6029BFLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 21A TO247APT6035SVRAPT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที