Name: Microsemi Corporation APTGT75DA170D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT75DA170D1G

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Microsemi
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	1700 V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี	2.4V @ 15V, 75A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D1
ชุด	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์	520 W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	D1
บรรจุุภัณฑ์	Bulk
อุณหภูมิในการทำงาน	-

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
กทช Thermistor	No
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE	6.5 nF @ 25 V
อินพุต	Standard
ประเภท IGBT	Trench Field Stop
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)	5 mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	120 A
องค์ประกอบ	Single

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	APTGT75DA170D1G	APTGT50X60T3G	APTGT75A120D1G	APTGT600U120D4G
ผู้ผลิต	Microsemi Corporation	Microchip Technology	Microsemi Corporation	Microchip Technology
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	1700 V	600 V	1200 V	1200 V
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE	6.5 nF @ 25 V	3.15 nF @ 25 V	5.345 nF @ 25 V	40 nF @ 25 V
เพาเวอร์ - แม็กซ์	520 W	176 W	357 W	2500 W
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	120 A	80 A	110 A	900 A
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี	2.4V @ 15V, 75A	1.9V @ 15V, 50A	2.1V @ 15V, 75A	2.1V @ 15V, 600A
กทช Thermistor	No	Yes	No	No
องค์ประกอบ	Single	Three Phase Inverter	Half Bridge	Single
ประเภท IGBT	Trench Field Stop	Trench Field Stop	Trench Field Stop	Trench Field Stop
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)	5 mA	250 µA	4 mA	5 mA
อุณหภูมิในการทำงาน	-	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-40°C ~ 150°C (TJ)
บรรจุุภัณฑ์	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
ชุด	-	-	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	D1	SP3	D1	D4
อินพุต	Standard	Standard	Standard	Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D1	SP3	D1	D4

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

APTGT75DA170D1G - Microsemi Corporation

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

APTGT75DA170D1G Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค