ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES1G_R1_00001
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Panjit International Inc. - ES1G_R1_00001 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Panjit International Inc. - ES1G_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | PANJIT | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1G |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Panjit International Inc. ES1G_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES1G_R1_00001 | ES1J R3G | ES1GLW RVG | ES1J M2G |
| ผู้ผลิต | Panjit International Inc. | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 600 V | 400 V | 600V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 5µA @ 600V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35ns |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz | 18pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 18pF @ 1V, 1MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | DO-214AC (SMA) | SOD-123W | DO-214AC (SMA) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.7V @ 1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1G | ES1J | ES1G | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | SOD-123W | DO-214AC, SMA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES1G_R1_00001 PDF และเอกสาร Panjit International Inc. สำหรับ ES1G_R1_00001 - Panjit International Inc.
ES1G-M3/61TElectro-Films (EFI) / VishayES1J R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACES1GLW RVGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W
ES1G_NLFairchild (onsemi)ES1J-E3/61TElectro-Films (EFI) / VishayES1J-E3Electro-Films (EFI) / VishayES1J M2GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
ES1J 2K/RES1GR2TAIWANSEMES1G-R1-00001PANJITES1J E2
ES1G-HFComchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
ES1J-13 T/RLITEON
ES1GL R2Taiwan SemiconductorES1G_R2_00001PANJITES1GLWHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 1A SOD123WES1J T/RPANJITES1G-TRTaiwan Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที