ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2SB315B-FF800R12KE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - 2SB315B-FF800R12KE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - 2SB315B-FF800R12KE3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 0V ~ 16V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Module | |
| ชุด | SCALE™-1 | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | |
| ประเภทขาเข้า | - | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SB315 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations 2SB315B-FF800R12KE3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2SB315B-FF800R12KE3 | 2SB315B-FF1200R17KE3_B2 | 2SB315A-FF800R12KE3 | 2SB315B-FF800R17KF6 |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | Single | Single |
| ชุด | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | Module | Module | Module |
| ประเภทขาเข้า | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SB315 | 2SB315 | 2SB315 | 2SB315 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Module | Module | Module | Module |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | - | - | - |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | - | - | - |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 0V ~ 16V | 0V ~ 16V | 0V ~ 16V | 0V ~ 16V |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2SB315B-FF800R12KE3 PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ 2SB315B-FF800R12KE3 - Power Integrations
2SB324SMT
2SB4672T100RLAPIS Technology2SB2907A1PANJIT2SB449MAT
2SB507AMI Semiconductor/onsemi2SB315B-FF1200R17KE3_B2Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE2SB504NEC
2SB249Atmel (Microchip Technology)2SB492AMI Semiconductor/onsemi
2SB315A_ManualCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module2SB247NEC2SB315A-FF800R12KE3Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE2SB315B-FF800R17KF6Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE2SB315A-FF800R17KF6Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE2SB476W2SB2955K2SB315A-FF1200R17KE3_B2Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
2SB473Panasonic| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที