ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2SD315AI-33
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - 2SD315AI-33 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - 2SD315AI-33
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 15V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Module | |
| ชุด | SCALE™-1 | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | |
| ประเภทขาเข้า | - | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 18A, 18A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SD315 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations 2SD315AI-33
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2SD315AI-33 | 2SD315AI | 2SD316EI-12 | 2SD315AI-25 |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations |
| ชุด | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SD315 | 2SD315 | 2SD316 | 2SD315 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tray | Tray | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ประเภทขาเข้า | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Module | Module | Module | Module |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 18A, 18A | 18A, 18A | 18A, 18A | 18A, 18A |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 15V | - | 15V | 15V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | 44-DIP Module, 42 Leads | Module | Module |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | 160ns, 130ns | - | - |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | - | - | - | - |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2SD315AI-33 PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ 2SD315AI-33 - Power Integrations
2SD315AICPower IntegrationsGATE DRIVER CORE, SCALE-1, 1700V2SD315AIPower IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
2SD313E2SD315AIC ULPower IntegrationsGATE DRIVER CORE, SCALE-1, 1700V2SD316EI-12Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE2SD316EICONCEPTIGBT Module2SD325
2SD317Panasonic
2SD313FAMI Semiconductor/onsemi2SD330EAMI Semiconductor/onsemi2SD313-E2SD315AI-25Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE2SD315NEC
2SD316EI_ManualCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
2SD313/D313Fairchild (onsemi)2SD316EI-17Power IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
2SD315AI ULPower IntegrationsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE2SD317AFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที