ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IGD515EI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - IGD515EI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - IGD515EI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 12V ~ 16V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Module | |
| ชุด | SCALE™-1 | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 40ns, 40ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| ความถี่ขาเข้า | 1 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.9V, 3.8V | |
| ประเภทขาเข้า | - | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 15A, 15A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IGD515 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations IGD515EI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IGD515EI | IGD616NT1 | IGD616IT1 | IGD515EI-34 |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Module | Module | Module | Module |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IGD515 | IGD616 | IGD616 | IGD515 |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.9V, 3.8V | - | - | 0.9V, 3.8V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | 36-DIP Module, 24 Leads | 36-DIP Module, 24 Leads | 36-DIP Module, 24 Leads |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tray | Tray | Tray |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 40ns, 40ns | 100ns, 80ns | 100ns, 80ns | 40ns, 40ns |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | Single | Single |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 12V ~ 16V | 14V ~ 16V | 14V ~ 16V | 12V ~ 16V |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 15A, 15A | - | - | 15A, 15A |
| ชุด | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 |
| ประเภทขาเข้า | - | Non-Inverting | Inverting | - |
| ความถี่ขาเข้า | 1 | 1 | 1 | 1 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IGD515EI PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ IGD515EI - Power Integrations
IGD01N120H2 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IGD-8-426-E1F12-BH-FASEMIKRONIGBT ModuleIGDD6-1-326-D1616-E1N6-DL-FASEMIKRONIGBT ModuleIGD06N60T G06T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD06T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD616NT1Power IntegrationsPOWER MODULE GATE DRVRIGD1102IKIGD615AICONCEPTIGBT ModuleIGD1101BIKIGD06N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGDD6-1-426-D1616-E1N6-DL-FASEMIKRONIGBT ModuleIGD01N120H2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD001PIIGD616IT1Power IntegrationsPOWER MODULE GATE DRVRIGD515EI-34Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULEIGD515EI-17CONCEPTIGBT ModuleIGD01N120H2 G1H1202Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD616Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที