ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี QH03TZ600
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Power Integrations - QH03TZ600 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Power Integrations - QH03TZ600
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Power Integrations | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Qspeed™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 9.8 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 11pF @ 10V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Power Integrations QH03TZ600
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | QH03TZ600 | MDO500-22N1 | 1N3744 | SK36SMA |
| ผู้ผลิต | Power Integrations | IXYS | Solid State Inc. | Diotec Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | Y1-CU | DO-9 | DO-214AC, SMA |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3 V @ 3 A | 1.3 V @ 1200 A | 1.3 V @ 300 A | 700 mV @ 3 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | - | -65°C ~ 190°C | -50°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 11pF @ 10V, 1MHz | 576pF @ 700V, 1MHz | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 2200 V | 1400 V | 60 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Box | Box | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | Qspeed™ | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 9.8 ns | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 600 V | 30 mA @ 2200 V | 75 µA @ 1400 V | 100 µA @ 60 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 560A | 275A | 3A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | Y1-CU | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-214AC, SMA |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Stud Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล QH03TZ600 PDF และเอกสาร Power Integrations สำหรับ QH03TZ600 - Power Integrations
QH0P ESIntelMDO500-22N1IXYSDIODE GEN PURP 2.2KV 560A Y1-CU1N3744Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 275A DO9SK36SMADiotec SemiconductorSCHOTTKY SMA 60V 3A
B2100AE-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
MUR2510Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 25A DO4
GS1002FL_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
RBE2VAM20ATRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 2A TUMD2M
SBRT3U60SAF-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 60V 3A SMAF
V10P45HM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
STTH8R06GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
FERD30SM100DJFTRSTMicroelectronicsDIODE FERD 100V 30A POWERFLAT
QH03BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO263ABQH08BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
QH08TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACQH05TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
ESH2PD-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO220AAQH05BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที