ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SSF2318E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Good-Ark Semiconductor - SSF2318E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Good-Ark Semiconductor - SSF2318E
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Good-Ark Semiconductor | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.4W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1160 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.5A |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Good-Ark Semiconductor SSF2318E
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SSF2318E | SSF2341E | SSF2320Y | SSF2314 |
ผู้ผลิต | Good-Ark Semiconductor | Good-Ark Semiconductor | Good-Ark Semiconductor | Good-Ark Semiconductor |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1160 pF @ 10 V | 939 pF @ 10 V | 75 pF @ 10 V | 775 pF @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.2V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 1 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±8V | ±8V | ±10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.5A | 4A (Tc) | 800mA (Tc) | 5.8A (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | SOT-23 | SOT-523 | SOT-23 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.4W | 1.4W | 312mW (Tc) | 1.56W (Tc) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-523 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V | 43mOhm @ 4A, 4.5V | 300mOhm @ 500mA, 4.5V | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SSF2318E PDF และเอกสาร Good-Ark Semiconductor สำหรับ SSF2318E - Good-Ark Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที