ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5818
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - 1N5818 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - 1N5818
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N58 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics 1N5818
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5818 | 1N5818 | 1N5818-T | 1N5818 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | Microchip Technology | Diodes Incorporated | onsemi |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | DO-41 | DO-41 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 110pF @ 4V, 1MHz | 110pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 30 V | 1 mA @ 30 V | 1 mA @ 30 V | 500 µA @ 30 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO041, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N58 | - | 1N5818 | 1N5818 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 1 A | 550 mV @ 1 A | 550 mV @ 1 A | 550 mV @ 1 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5818 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ 1N5818 - STMicroelectronics
1N5817WBSTMicroelectronics1N5818Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO411N5818-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO411N5818onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
1N5817W/SJMicro Commercial Components (MCC)1N5818NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO411N5818WJINGDAO1N5817WSKEXIN1N5818/SS16TOSHIBA/GC1N5818RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL
1N5818Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL1N5818A-01Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY DO41
1N5818Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO151N5818GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL1N5818-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL1N5818MGS1N5818Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO151N5817WS S4CJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที