ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5819
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - 1N5819 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - 1N5819
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 550 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics 1N5819
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5818A-01 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | Microchip Technology | Diotec Semiconductor | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 40 V | 50 µA @ 45 V | 1 mA @ 40 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 550 mV @ 1 A | 490 mV @ 1 A | 900 mV @ 3 A | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 45 V | 40 V | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO041, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | DO15/DO204AC | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 125°C | -50°C ~ 150°C | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5818 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 70pF @ 5V, 1MHz | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5819 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ 1N5819 - STMicroelectronics
1N5819Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO411N5819 S4CJ1N5818/SS16TOSHIBA/GC1N5819Diotec SemiconductorDIODE SCHOT 40V 1A DO15/DO204AC1N5818A-01Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY DO411N5819 SS141N5818-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO411N5818onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
1N5819Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL1N5819onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5818MGS1N5819Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5818-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL1N5819 SS14 SMAMIC1N5818GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL1N5818WJINGDAO1N5818RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL1N5819NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที