ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5822
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - 1N5822 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - 1N5822
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics 1N5822
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5822 | 1N5821 | 1N5821RL | 1N5821 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | onsemi | NTE Electronics, Inc |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 40 V | 2 mA @ 30 V | 2 mA @ 30 V | 500 µA @ 30 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5822 | 1N58 | 1N5821 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | DO-201AD | Axial | DO-201AD |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 525 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 190pF @ 4V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5822 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ 1N5822 - STMicroelectronics
1N5821STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821RLonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL1N5821NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL
1N5822 A0Taiwan Semiconductor1N5822Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5821Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 3A B AXIAL
1N5822Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5821RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL1N5821RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5822Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 40V 3A
1N5821onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
1N5821-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO2011N5822onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที