ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N3019
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - 2N3019 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - 2N3019
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics 2N3019
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N3019 | 2N3013 | 2N3053 | 2N3019 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | onsemi | Solid State Inc. | NTE Electronics, Inc |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 15 V | 40 V | 80 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N30 | 2N3013 | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10nA (ICBO) | 300nA | 250nA | 10nA (ICBO) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 150mA, 10V | 30 @ 30mA, 400mV | 50 @ 150mA, 10V | 100 @ 150mA, 10V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | 200 mA | 700 mA | 1 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | 360 mW | 5 W | 800 mW |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | TO-18 | TO-39 | TO-39 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | Bulk | Bag |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | 500mV @ 30mA, 300mA | 1.4V @ 15mA, 150mA | 500mV @ 50mA, 500mA |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | 350MHz | 100MHz | 100MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N3019 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ 2N3019 - STMicroelectronics
2N3013onsemiTRANS NPN 15V 0.2A TO182N3037MOT2N3053Solid State Inc.TRANS NPN 40V 0.7A TO392N3020NS2N3012MOT2N3019NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 1A TO392N3054NTE Electronics, IncTRANS NPN 55V 4A TO662N3019Solid State Inc.TRANS NPN 80V 1A TO39
2N3053Microchip TechnologyTRANS NPN 40V 0.7A TO5
2N3019Microchip TechnologyTRANS NPN 80V 1A TO5
2N3019SMicrochip TechnologyTRANS NPN 80V 1A TO392N3033MOT2N3055Microchip TechnologyTRANS NPN 70V 15A TO3
2N3019AMicrochip TechnologySMALL-SIGNAL BJT2N3013Microchip TechnologySMALL-SIGNAL BJT2N3053Harris CorporationTRANS NPN 40V 0.7A TO52N3054Microchip TechnologyPOWER BJT2N3053##QQQQQQQQ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที