ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYT30P-400
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - BYT30P-400 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - BYT30P-400
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-93-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-93-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 35 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYT30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics BYT30P-400
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYT30P-400 | BYT30PI-1000 | BYT30P-1000 | BYT52J-TAP |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-93-2 | DOP3I | SOD-93-2 | SOD-57 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 30A | 30A | 1.4A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Avalanche |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYT30 | BYT30 | BYT30 | BYT52 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-93-2 | DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) | SOD-93-2 | SOD-57, Axial |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 35 µA @ 400 V | 100 µA @ 1000 V | 100 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 30 A | 1.9 V @ 30 A | 1.9 V @ 30 A | 1.3 V @ 1 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 1000 V | 1000 V | 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns | 165 ns | 165 ns | 200 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tape & Box (TB) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYT30P-400 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ BYT30P-400 - STMicroelectronics
BYT30500RSTMicroelectronicsIGBT ModuleBYT30P-800PHINXPBYT30PI-1000STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3IBYT30P-1000STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 30A SOD93-2BYT52J-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1.4A SOD57BYT52K-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1.4A SOD57
BYT52BElectro-Films (EFI) / VishayBYT30600RSTMicroelectronicsIGBT ModuleBYT30500MSTMicroelectronicsIGBT ModuleBYT30P200STMicroelectronicsBYT52MElectro-Films (EFI) / VishayBYT30800STMicroelectronicsIGBT ModuleBYT52A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 50V 1.4A SOD57BYT30500STMicroelectronicsIGBT ModuleBYT30600STMicroelectronicsIGBT ModuleBYT30P1000STMicroelectronicsBYT52G-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 400V 1.4A SOD57BYT30800RSTMicroelectronicsIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที