ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYV541V-200
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - BYV541V-200 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - BYV541V-200
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYV541 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics BYV541V-200
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYV541V-200 | BYV430K-300PQ | BYV52-200 | BYV54V-200 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | WeEn Semiconductors | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-218-3 | ISOTOP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYV541 | BYV430 | BYV52 | BYV54V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 175°C (Max) | -40°C ~ 150°C | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | TO-3P | SOT-93 | ISOTOP® |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 200 V | 10 µA @ 300 V | 25 µA @ 200 V | 50 µA @ 200 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 50 A | 1.25 V @ 30 A | 850 mV @ 20 A | 850 mV @ 50 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 300 V | 200 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A | 30A | 30A | 50A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | 55 ns | 50 ns | 60 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYV541V-200 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ BYV541V-200 - STMicroelectronics
BYV541V150STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV54V150STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV430J-600PWeEn Semiconductors Co., Ltd
BYV42EX-200LUMILEDS
BYV44-500NXP/WEENBYV541V100STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV541V200STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV430K-300PQWeEn SemiconductorsDIODE ARRAY GP 300V 30A TO3PBYV54PV200STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV54V100STMicroelectronicsIGBT Module
BYV430W-300PFreescale / NXP SemiconductorsBYV52-200STMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 30A SOT93BYV5450STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV541V50STMicroelectronicsIGBT ModuleBYV54V-200STMicroelectronicsDIODE MODULE 200V 50A ISOTOPBYV52PI-200STMicroelectronicsBYV42G-200Freescale / NXP SemiconductorsBYV430K-300PWeEn Semiconductors Co., Ltd| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที