ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYW29-200
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - BYW29-200 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - BYW29-200
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYW29 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics BYW29-200
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYW29-200 | BYW29-100-E3/45 | BYW29-100 | BYW29E-200,127 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | WeEn Semiconductors |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | - | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | - | 150°C (Max) |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | - | TO-220-2 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC | - | TO-220AC |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 45pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 10 A | 1.3 V @ 20 A | - | 1.05 V @ 8 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 25 ns | - | 25 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 100 V | - | 10 µA @ 200 V |
| ชุด | - | - | * | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | - | 8A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYW29 | BYW29 | - | BYW29 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYW29-200 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ BYW29-200 - STMicroelectronics
BYW29-200onsemiRECT ULTRAFAST 8A 200V TO-220BYW29-100-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
BYW25-1000LUMILEDSIGBT ModuleBYW29-100onsemiRECTIFIER DIODE, 7.3A, 100V
BYW29E-200,127NXP USA Inc.DIODE FAST REC 200V 8A TO220ACBYW29E-100LUMILEDSBYW178LUMILEDSBYW29E-200127WeEn Semiconductors Co., LtdBYW29E-200,127WeEn SemiconductorsDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACBYW29-200GonsemiDIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2BYW29E-150Freescale / NXP Semiconductors
BYW29-50STMicroelectronics
BYW100-200RLSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15BYW29200VISHAY/GSBYW100-200STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15BYW25-800RLUMILEDSIGBT ModuleBYW29E-200Freescale / NXP SemiconductorsBYW29E-150127DIODE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที