ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี M95512-WDW6TP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - M95512-WDW6TP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - M95512-WDW6TP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 16 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M95512 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B1B2 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics M95512-WDW6TP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | M95512-WDW6TP | M95512-WMN6P | M95512-RMB6TG | M95512-RDW6TP |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.5V ~ 5.5V | 2.5V ~ 5.5V | 1.8V ~ 5.5V | 1.8V ~ 5.5V |
| ความถี่นาฬิกา | 16 MHz | 16 MHz | 20 MHz | 16 MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-UFDFN Exposed Pad | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Kbit | 512Kbit | 512Kbit | 512Kbit |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | M95512 | M95512 | M95512 | M95512 |
| เทคโนโลยี | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | 8-SOIC | 8-UFDFPN (2x3) | 8-TSSOP |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | 5ms | 5ms | 5ms |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | SPI |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 8 | 64K x 8 | 64K x 8 | 64K x 8 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล M95512-WDW6TP PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ M95512-WDW6TP - STMicroelectronics
M95512-WMN6PSTMicroelectronicsIC EEPROM 512KBIT SPI 8SOICM95512-RMB6TGSTMicroelectronicsIC EEPROM 512KBIT SPI 8UFDFPN
M95512-RDW6TPKTBSTMicroelectronicsM95512-DRMN8TP/KSTMicroelectronicsM95512-RDW6TPSTMicroelectronicsIC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
M95512-RMN6TSTMM95640-DRDW3TP/KSTMicroelectronicsIC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOPM95512-DRMN3TP/KSTMicroelectronicsIC EEPROM 512KBIT SPI 8SOICM95512-RMN6TPSTMicroelectronicsIC EEPROM 512KBIT SPI 8SOICM95640-DFMN6TPSTMicroelectronicsIC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOICM95512-DRMN8TPSTMicroelectronicsM95512WMN6STMicroelectronicsM95512-RMN6PSTMicroelectronicsM95512-WMN3TPSTMicroelectronicsM95512-WMN6TPSTMicroelectronicsIC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
M95640-DFDW6TPSTMicroelectronicsIC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOPM95640-DFMC6TGSTMicroelectronicsM95640-DRDW3TPSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที