ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SCT20N120
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - SCT20N120 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - SCT20N120
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | +25V, -10V | |
| เทคโนโลยี | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | HiP247™ | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 175W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 650 pF @ 400 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCT20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics SCT20N120
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SCT20N120 | SCT2160KEC | SCT2080KEC | SCT2120AFC |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.5V @ 1mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 4.4mA | 4V @ 3.3mA |
| เทคโนโลยี | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 20V | 18V | 18V | 18V |
| ชุด | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 175W (Tc) | 165W (Tc) | 262W (Tc) | 165W (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 650 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | 22A (Tc) | 40A (Tc) | 29A (Tc) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | HiP247™ | TO-247 | TO-247 | TO-220AB |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SCT20 | SCT2160 | SCT2080 | SCT2120 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 20 V | 62 nC @ 18 V | 106 nC @ 18 V | 61 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 650 pF @ 400 V | 1200 pF @ 800 V | 2080 pF @ 800 V | 1200 pF @ 500 V |
| Vgs (สูงสุด) | +25V, -10V | +22V, -6V | +22V, -6V | +22V, -6V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 200°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V | 208mOhm @ 7A, 18V | 117mOhm @ 10A, 18V | 156mOhm @ 10A, 18V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SCT20N120 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ SCT20N120 - STMicroelectronics
SCT2120AFLAPIS Technology
SCT214CKXinggeSCT2160KECRohm SemiconductorSICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2080KECULAPIS TechnologySCT2080KEFOHMSCT2008SSSGSTARCHIPSSCT2080KECRohm SemiconductorSICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2120AFCRohm SemiconductorSICFET N-CH 650V 29A TO220ABSCT214GZXinggeSCT2024CSSGSTCSCT2160KELAPIS TechnologySCT2080KEHRC11Rohm SemiconductorSICFET N-CH 1200V 40A TO247NSCT2024CSTGSCT
SCT20N120AGSTMicroelectronicsSCT20N170AGSCT2024CQNGSCT2026CSTGSTMicroelectronicsSCT2120AFCULAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที