ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STB14N80K5
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STB14N80K5 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STB14N80K5
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | |
ชุด | MDmesh™ K5 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 445mOhm @ 6A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 130W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 620 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STB14 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STB14N80K5
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STB14N80K5 | STB140NF75T4 | STB14NK50ZT4 | STB140N4F6 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 445mOhm @ 6A, 10V | 7.5mOhm @ 70A, 10V | 380mOhm @ 6A, 10V | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | 120A (Tc) | 14A (Tc) | 80A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | 75 V | 500 V | 40 V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±30V | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ชุด | MDmesh™ K5 | STripFET™ III | SuperMESH™ | STripFET™ F6 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 620 pF @ 100 V | 5000 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | 218 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STB14 | STB140 | STB14 | STB140 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 130W (Tc) | 310W (Tc) | 150W (Tc) | 168W (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STB14N80K5 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STB14N80K5 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที