ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STB150NF04
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STB150NF04 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STB150NF04
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | |
ชุด | STripFET™ II | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3650 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STB150N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STB150NF04
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STB150NF04 | STB14NM65N | STB15NM60ND | STB15810 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±25V | ±25V | ±20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | 650 V | 600 V | 100 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 117 nC @ 10 V |
ชุด | STripFET™ II | MDmesh™ II | FDmesh™ II | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STB150N | STB14N | STB15N | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V | 380mOhm @ 6A, 10V | 299mOhm @ 7A, 10V | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | 12A (Tc) | 14A (Tc) | 110A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3650 pF @ 25 V | 1300 pF @ 50 V | 1250 pF @ 50 V | 8115 pF @ 50 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300W (Tc) | 125W (Tc) | 125W (Tc) | 250W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STB150NF04 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STB150NF04 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที