ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STD12NM50N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STD12NM50N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STD12NM50N
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
ชุด | MDmesh™ II | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 940 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STD12 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STD12NM50N
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STD12NM50N | STD12NM50ND | STD12NF06T4 | STD12NF06-1 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±25V | ±20V | ±20V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
ชุด | MDmesh™ II | FDmesh™ II | STripFET™ II | STripFET™ II |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 940 pF @ 50 V | 850 pF @ 50 V | 315 pF @ 25 V | 315 pF @ 25 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | 100W (Tc) | 30W (Tc) | 30W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STD12 | STD12 | STD12 | STD12 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 100mOhm @ 6A, 10V | 100mOhm @ 6A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 500 V | 60 V | 60 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | DPAK | DPAK | I-PAK |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STD12NM50N PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STD12NM50N - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที