ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STD7N60M6
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STD7N60M6 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STD7N60M6
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.75V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-PAK (TO-252) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 72W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 237 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.8A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STD7 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STD7N60M6
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STD7N60M6 | STD7N90K5 | STD7N52K3 | STD7ANM60N |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 72W (Tc) | 110W (Tc) | 90W (Tc) | 45W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.75V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 50µA | 4V @ 250µA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | - | MDmesh™ K5 | SuperMESH3™ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | - | 34 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-PAK (TO-252) | DPAK | DPAK | DPAK |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 900 V | 525 V | 600 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V | - | 980mOhm @ 3.1A, 10V | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STD7 | STD7 | STD7N52 | STD7ANM60 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.8A (Tc) | 7A (Tc) | 6A (Tc) | 5A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±30V | ±30V | ±25V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 237 pF @ 100 V | - | 737 pF @ 100 V | 363 pF @ 50 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที