ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STF20NM60D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STF20NM60D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STF20NM60D
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FP | |
ชุด | FDmesh™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 45W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STF20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STF20NM60D
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STF20NM60D | STF21N65M5 | STF20NF20 | STF20NK50Z |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 45W (Tc) | 30W (Tc) | 30W (Tc) | 40W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V | 190mOhm @ 8.5A, 10V | 125mOhm @ 10A, 10V | 270mOhm @ 8.5A, 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 119 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | 1950 pF @ 100 V | 940 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±25V | ±20V | ±30V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STF20 | STF21 | STF20 | STF20 |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 650 V | 200 V | 500 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | 17A (Tc) | 18A (Tc) | 17A (Tc) |
ชุด | FDmesh™ | MDmesh™ V | STripFET™ | SuperMESH™ |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STF20NM60D PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STF20NM60D - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที