ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STH145N8F7-2AG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STH145N8F7-2AG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STH145N8F7-2AG
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | H2Pak-2 | |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 45A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 200W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6340 pF @ 40 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STH145 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STH145N8F7-2AG
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STH145N8F7-2AG | STH15NB50FI | STH150N10F7-2 | STH13N120K5-2AG |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 90A (Tc) | 10.5A (Tc) | 110A (Tc) | 12A (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | H2Pak-2 | ISOWATT-218 | H2Pak-2 | H2Pak-2 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 200W (Tc) | 80W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 500 V | 100 V | 1200 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6340 pF @ 40 V | 3400 pF @ 25 V | 8115 pF @ 50 V | 1370 pF @ 100 V |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | PowerMESH™ | DeepGATE™, STripFET™ VII | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STH145 | STH15N | STH150 | STH13 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 45A, 10V | 360mOhm @ 7.5A, 10V | 3.9mOhm @ 55A, 10V | 690mOhm @ 6A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ISOWATT-218-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 5V @ 100µA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 117 nC @ 10 V | 44.2 nC @ 10 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STH145N8F7-2AG PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STH145N8F7-2AG - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที