ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STL11N6F7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STL11N6F7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STL11N6F7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| ชุด | STripFET™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 5.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.9W (Ta), 48W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1035 pF @ 30 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL11 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STL11N6F7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STL11N6F7 | STL120N4F6AG | STL12N60M2 | STL11N3LLH6 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 40 V | 600 V | 30 V |
| ชุด | STripFET™ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | MDmesh™ M2 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 5.5A, 10V | 3.6mOhm @ 13A, 10V | 495mOhm @ 4.5A, 10V | 7.5mOhm @ 5.5A, 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL11 | STL120 | STL12 | STL11 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 17 nC @ 4.5 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA (Min) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (3.3x3.3) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) HV | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1035 pF @ 30 V | 3700 pF @ 25 V | 538 pF @ 100 V | 1690 pF @ 24 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.9W (Ta), 48W (Tc) | 96W (Tc) | 52W (Tc) | 2W (Ta), 50W (Tc) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 11A (Ta) | 55A (Tc) | 6.5A (Tc) | 11A (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±25V | ±20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STL11N6F7 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STL11N6F7 - STMicroelectronics
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 55A POWERFLATSTL12N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLATSTL110NS3LLH7 MOSSTMicroelectronicsSTL120N2VH5 MOSSTMicroelectronicsSTL11NH3LLSTMicroelectronicsSTL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 11A POWERFLATSTL10N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 9A POWERFLATSTL10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
STL128DNSTMicroelectronicsTRANS NPN 400V 4A TO220STL110NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 120A POWERFLATSTL110N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 108A POWERFLATSTL120N4LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A POWERFLATSTL110N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 107A POWERFLATSTL10N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLATSTL120N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 120A POWERFLATSTL120N2VH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 20V 120A POWERFLATSTL11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLATSTL11N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที