ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STL12N65M2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STL12N65M2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STL12N65M2
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (5x6) HV | |
ชุด | MDmesh™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 48W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 410 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL12 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STL12N65M2
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STL12N65M2 | STL12N60M2 | STL120N4F6AG | STL12N65M5 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±25V | ±20V | ±25V |
ชุด | MDmesh™ | MDmesh™ M2 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | MDmesh™ V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (5x6) HV | PowerFlat™ (5x6) HV | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL12 | STL12 | STL120 | STL12 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3A, 10V | 495mOhm @ 4.5A, 10V | 3.6mOhm @ 13A, 10V | 530mOhm @ 4.25A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 600 V | 40 V | 650 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 48W (Tc) | 52W (Tc) | 96W (Tc) | 48W (Tc) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Tc) | 6.5A (Tc) | 55A (Tc) | 8.5A (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 410 pF @ 100 V | 538 pF @ 100 V | 3700 pF @ 25 V | 644 pF @ 100 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STL12N65M2 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STL12N65M2 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที