ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STL8P2UH7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STL8P2UH7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STL8P2UH7
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (2x2) | |
ชุด | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 4A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-PowerWDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2390 pF @ 16 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STL8P2UH7
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STL8P2UH7 | STL8N6LF6AG | STL8N80K5 | STL8N10LF3 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | 27 nC @ 10 V | 16.5 nC @ 10 V | 20.5 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-PowerWDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
ชุด | DeepGATE™, STripFET™ VII | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | SuperMESH5™ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 3V @ 250µA |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Tc) | 4.8W (Ta), 55W (Tc) | 42W (Tc) | 4.3W (Ta), 70W (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 4A, 4.5V | 27mOhm @ 9.6A, 10V | 950mOhm @ 3A, 10V | 35mOhm @ 4A, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2390 pF @ 16 V | 1340 pF @ 25 V | 450 pF @ 100 V | 970 pF @ 25 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL8 | STL8 | STL8N80 | STL8 |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 60 V | 800 V | 100 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (2x2) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | 32A (Tc) | 4.5A (Tc) | 20A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 10V | 5V, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Vgs (สูงสุด) | ±8V | ±20V | ±30V | ±20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STL8P2UH7 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STL8P2UH7 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที