ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STN2NE10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STN2NE10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STN2NE10
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 | |
ชุด | STripFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 1A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 305 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STN2N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STN2NE10
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STN2NE10 | STN2NE10L | STN2NF06 MOS | STN2NF06 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | STripFET™ | STripFET™ | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | 14 nC @ 5 V | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 305 pF @ 25 V | 345 pF @ 25 V | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Tc) | 2.5W (Tc) | - | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 5V, 10V | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 1A, 10V | 400mOhm @ 1A, 10V | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 | SOT-223 | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STN2N | STN2N | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | 1.8A (Tc) | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STN2NE10 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STN2NE10 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที