ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP11N52K3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP11N52K3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP11N52K3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 50µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
ชุด | SuperMESH3™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 510mOhm @ 5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1400 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 525 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP11N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP11N52K3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP11N52K3 | STP110N10F7 | STP11NK50Z | STP110N8F7 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 525 V | 100 V | 500 V | 80 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 510mOhm @ 5A, 10V | 7mOhm @ 55A, 10V | 520mOhm @ 4.5A, 10V | 7.5mOhm @ 40A, 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | 110A (Tc) | 10A (Tc) | 80A (Tc) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | 150W (Tc) | 125W (Tc) | 170W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 50µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 250µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP11N | STP110 | STP11 | STP110 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V | 46.8 nC @ 10 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1400 pF @ 50 V | 5500 pF @ 50 V | 1390 pF @ 25 V | 3435 pF @ 40 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ชุด | SuperMESH3™ | DeepGATE™, STripFET™ VII | SuperMESH™ | STripFET™ |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP11N52K3 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STP11N52K3 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที