ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP140N6F7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP140N6F7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP140N6F7
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
ชุด | STripFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 40A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 158W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3100 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP140 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP140N6F7
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP140N6F7 | STP13NK60ZFP | STP13NM60N | STP141NF55 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 40A, 10V | 550mOhm @ 4.5A, 10V | 360mOhm @ 5.5A, 10V | 8mOhm @ 40A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 80A (Tc) | 13A (Tc) | 11A (Tc) | 80A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-220-3 |
ชุด | STripFET™ | SuperMESH™ | MDmesh™ II | STripFET™ II |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 600 V | 600 V | 55 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 142 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220FP | TO-220 | TO-220 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3100 pF @ 10 V | 2030 pF @ 25 V | 790 pF @ 50 V | 5300 pF @ 25 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP140 | STP13 | STP13 | STP141 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 158W (Tc) | 35W (Tc) | 90W (Tc) | 300W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±25V | ±20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP140N6F7 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STP140N6F7 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที