ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP270N8F7W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP270N8F7W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP270N8F7W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 90A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 315W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 13600 pF @ 50 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 193 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 180A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP270N8F7W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP270N8F7W | STP26N60M2 | STP28N65M2 | STP28N60DM2 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 180A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 21A (Tc) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 13600 pF @ 50 V | - | 1440 pF @ 100 V | 1500 pF @ 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 315W (Tc) | 169W (Tc) | 170W (Tc) | 170W (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±25V | ±25V | ±25V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 193 nC @ 10 V | - | 35 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 600 V | 650 V | 600 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 90A, 10V | - | 180mOhm @ 10A, 10V | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
STP26N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220STP28N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A TO220
STP270N8F7 MOSSTMicroelectronicsSTP2711LFRAKONSTP28N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220STP27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A TO220STP270N8F7STMicroelectronicsMOSFET N CH 80V 180A TO220STP270N04STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A TO220ABSTP26N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220STP28N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 24A TO220STP27N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 27A TO220ABSTP26N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A TO220STP2695ALFSYMMETRICOMSTP26NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220STP270N4F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A TO220-3STP26NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A TO220ABSTP28N60M2 MOSSTMicroelectronicsSTP28NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 21A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที