ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP3NB100
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP3NB100 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP3NB100
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | PowerMESH™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 700 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP3N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP3NB100
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP3NB100 | STP3N80K5 | STP3N62K3 | STP3NA60FI |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | VBSEMI |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 9.5 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | 60W (Tc) | 45W (Tc) | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) | 2.5A (Tc) | 2.7A (Tc) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP3N | STP3N80 | STP3N | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | 800 V | 620 V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 50µA | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | - |
| ชุด | PowerMESH™ | SuperMESH5™ | SuperMESH3™ | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 1.5A, 10V | 3.5Ohm @ 1A, 10V | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 700 pF @ 25 V | 130 pF @ 100 V | 385 pF @ 25 V | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP3NB100 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STP3NB100 - STMicroelectronics
STP3NA60FIVBSEMI
STP3NB80STMicroelectronicsSTP3N62K3 MOSSTMicroelectronicsSTP3NB100FISTMicroelectronicsSTP3NB90STMicroelectronicsSTP3NA100FPSTMicroelectronicsSTP3NB120STMicroelectronicsSTP3NA90FISTMicroelectronicsSTP3NB60FPSTMicroelectronicsSTP3N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 2.5A TO220STP3NB100FPSTMicroelectronicsSTP3NB90FPSTMicroelectronicsSTP3NA100FISTMicroelectronicsSTP3N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 2.7A TO220ABSTP3NB80FPSTMicroelectronicsSTP3N90STMicroelectronicsSTP3NB60STMicroelectronicsSTP3NA90STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที