ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP40NF03L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP40NF03L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP40NF03L
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
ชุด | STripFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 70W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 770 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP40 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP40NF03L
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP40NF03L | STP40NF10 | STP40N60M2 | STP40N65M2 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V | 28mOhm @ 25A, 10V | 88mOhm @ 17A, 10V | 99mOhm @ 16A, 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | 62 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V | 56.5 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP40 | STP40 | STP40 | STP40 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 100 V | 600 V | 650 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | 50A (Tc) | 34A (Tc) | 32A (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 770 pF @ 25 V | 2180 pF @ 25 V | 2500 pF @ 100 V | 2355 pF @ 100 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | STripFET™ | STripFET™ II | MDmesh™ II Plus | MDmesh™ M2 |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 70W (Tc) | 150W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±20V | ±25V | ±25V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP40NF03L PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STP40NF03L - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที