ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP6N90K5
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP6N90K5 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP6N90K5
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | MDmesh™ K5 | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 110W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 900 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP6N90 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP6N90K5
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP6N90K5 | STP6N60M2 | STP6N52K3 | STP6N65M2 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 50µA | 4V @ 250µA |
| ชุด | MDmesh™ K5 | MDmesh™ II Plus | SuperMESH3™ | MDmesh™ |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP6N90 | STP6N60 | STP6N | STP6N |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Tc) | 4.5A (Tc) | 5A (Tc) | 4A (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±25V | ±30V | ±25V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 110W (Tc) | 60W (Tc) | 70W (Tc) | 60W (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V | 1.35Ohm @ 2A, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 900 V | 600 V | 525 V | 650 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP6N90K5 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STP6N90K5 - STMicroelectronics
STP6N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220STP6N52K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 525V 5A TO220
STP6N95K5 6N95K5STMicroelectronicsSTP6N60M2 MOSSTMicroelectronicsSTP6N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4A TO220STP6NB25FPSTMicroelectronicsSTP6N60STMicroelectronicsSTP6N60FISTMicroelectronicsSTP6NA60FI MOSSTMicroelectronicsSTP6N60FI P6N60FISTMicroelectronicsSTP6N95K5 MOSSTMicroelectronicsSTP6N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 5.5A TO220ABSTP6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 9A TO220-3STP6NB50STMicroelectronicsSTP6NB80STMicroelectronicsSTP6N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 4.5A TO220STP6NA60FISTMicroelectronicsSTP6NA60STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที