ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STSJ100NH3LL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STSJ100NH3LL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STSJ100NH3LL
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC-EP | |
ชุด | STripFET™ III | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 12.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta), 70W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4450 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STSJ100N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STSJ100NH3LL
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STSJ100NH3LL | STS9NH3LL | STSJ60NH3LL | STS9P3LLH6 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±16V | ±16V | ±20V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STSJ100N | STS9NH | STSJ60 | STS9P |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3W (Ta), 70W (Tc) | 2.5W (Tc) | 3W (Ta), 50W (Tc) | 2.7W (Ta) |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 12.5A, 10V | 22mOhm @ 4.5A, 10V | 5.7mOhm @ 7.5A, 10V | 15mOhm @ 4.5A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 4.5 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | 9A (Tc) | 60A (Tc) | 9A (Ta) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC-EP | 8-SOIC | 8-SOIC-EP | 8-SO |
ชุด | STripFET™ III | STripFET™ III | STripFET™ | STripFET™ H6 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4450 pF @ 25 V | 857 pF @ 25 V | 1810 pF @ 25 V | 2615 pF @ 25 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STSJ100NH3LL PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STSJ100NH3LL - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที