ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STTH3R06
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STTH3R06 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STTH3R06
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH3 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STTH3R06
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STTH3R06 | STTH3R04 | STTH3R06RL | STTH3R02RL |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 3 A | 1.5 V @ 3 A | 1.7 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH3 | STTH3R | STTH3 | STTH3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 400 V | 600 V | 200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 3 µA @ 600 V | 3 µA @ 200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 30 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STTH3R06 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STTH3R06 - STMicroelectronics
STTH3R04STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 3A DO201ADSTTH40P03SSTMicroelectronicsSTTH3R06RLSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADSTTH3R02RLSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201ADSTTH3R04RLSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
STTH3R04SSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 3A SMC
STTH40P03SFPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 40A TO220FPSTTH3R06-TRSTMicroelectronicsSTTH3R02AFYSTMicroelectronicsDIODE GP 200V 3A SOD128FLATSTTH40P03SFP3STMicroelectronicsSTTH3R02SSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 3A SMC
STTH3R02QRLSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 3A DO15
STTH3R06USTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 3A SMBSTTH3R02STMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201ADSTTH3R06S-H/ZSTMicroelectronicsSTTH3R04USTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 3A SMBSTTH3R06SSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 3A SMCSTTH3R02QSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 3A DO15| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที