ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STTH803D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STTH803D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STTH803D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH803 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STTH803D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STTH803D | STTH806D | STTH802D | STTH806DIRG |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 8 A | 1.85 V @ 8 A | 1.05 V @ 8 A | 1.85 V @ 8 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH803 | STTH806 | STTH802 | STTH806 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 600 V | 200 V | 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 55 ns | 30 ns | 55 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 300 V | 8 µA @ 600 V | 6 µA @ 200 V | 8 µA @ 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC ins |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STTH803D PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STTH803D - STMicroelectronics
STTH806DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
STTH802CFPSTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 4A TO220FP
STTH802CTSTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 4A TO220ABSTTH802G MOSSTMicroelectronicsSTTH802DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACSTTH806DIRGSTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INS
STTH806G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKSTTH806DTSTMicroelectronicsSTTH802G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAKSTTH802SFSTMicroelectronicsSTTH803GSTMicroelectronicsSTTH806DTISTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INSSTTH802FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A TO220FPACSTTH802GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAKSTTH802SFYSTMicroelectronicsSTTH806DISTMicroelectronicsSTTH806STTH803G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที