ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STTH80S06W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STTH80S06W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STTH80S06W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-247 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-247-2 (Straight Leads) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH80 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STTH80S06W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STTH80S06W | STTH806G-TR | STTH806D | STTH806DIRG |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 8A | 8A | 8A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH80 | STTH806 | STTH806 | STTH806 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 55 ns | 55 ns | 55 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-247 | D2PAK | TO-220AC | TO-220AC ins |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 20 A | 1.85 V @ 8 A | 1.85 V @ 8 A | 1.85 V @ 8 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 600 V | 8 µA @ 600 V | 8 µA @ 600 V | 8 µA @ 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-247-2 (Straight Leads) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STTH80S06W PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STTH80S06W - STMicroelectronics
STTH806G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKSTTH806DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACSTTH806DIRGSTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INSSTTH810DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220ACSTTH810G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAKSTTH810DISTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220InsSTTH806DTISTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INS
STTH806TTISTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 600V 8A TO220ABSTTH806TTIF5STMicroelectronicsSTTH810FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FPACSTTH812DISTMicroelectronicsDIODE GP 1.2KV 8A TO220AC INSSTTH806DISTMicroelectronicsSTTH812DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220ACSTTH812GSTMicroelectronicsSTTH810GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAKSTTH806DTSTMicroelectronicsSTTH812FPSTMicroelectronicsDIODE GP 1.2KV 8A TO220FPAC
STTH806| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที