ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STTH8R04DI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STTH8R04DI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STTH8R04DI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC ins | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH8R04 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STTH8R04DI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STTH8R04DI | STTH8R06D | STTH8R06FP | STTH8R04G-TR |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 600 V | 600 V | 400 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 45 ns | 45 ns | 50 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC ins | TO-220AC | TO-220FPAC | D2PAK |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 8 A | 2.9 V @ 8 A | 2.9 V @ 8 A | 1.5 V @ 8 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH8R04 | STTH8 | STTH8 | STTH8 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 30 µA @ 600 V | 30 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) | -40°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STTH8R04DI PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STTH8R04DI - STMicroelectronics
STTH8R06DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACSTTH8R06FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FPACSTTH8R04G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 8A D2PAKSTTH8R06GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKSTTH8R04FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 8A TO220FPACSTTH8R03G-TRSTMicroelectronicsSTTH8R04DI-HSTMSTTH8L06R-HSTMicroelectronicsSTTH8R03DJF-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A POWERFLATSTTH8R03DJFSTMicroelectronicsSTTH8R04GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 8A D2PAKSTTH8L06RSTMicroelectronicsSTTH8R06DIRGSTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INSSTTH8L06G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKSTTH8R03DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A TO220ACSTTH8R04DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 8A TO220ACSTTH8R03LSTMicroelectronicsSTTH8R04DIRGSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที