ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STW40N20
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STW40N20 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STW40N20
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | |
ชุด | STripFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 20A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 160W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2500 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STW40N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STW40N20
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STW40N20 | STW36NM60ND | STW40N95K5 | STW3N150 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 5V @ 250µA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 40A (Tc) | 29A (Tc) | 38A (Tc) | 2.5A (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 20A, 10V | 110mOhm @ 14.5A, 10V | 130mOhm @ 19A, 10V | 9Ohm @ 1.3A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STW40N | STW36 | STW40 | STW3N150 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 600 V | 950 V | 1500 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | STripFET™ | Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II | MDmesh™ K5 | PowerMESH™ |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±25V | ±30V | ±30V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2500 pF @ 25 V | 2785 pF @ 50 V | 3300 pF @ 100 V | 939 pF @ 25 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | 80.4 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V | 29.3 nC @ 10 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 160W (Tc) | 190W (Tc) | 450W (Tc) | 140W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STW40N20 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STW40N20 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที