ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GL4100
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Sharp Microelectronics - GL4100 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Sharp Microelectronics - GL4100
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Sharp Microelectronics | |
| ความยาวคลื่น | 950nm | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | |
| มุมมอง | 180° | |
| ชนิด | Infrared (IR) | |
| ชุด | - | |
| ความเข้มของการแผ่รังสี (IE) Min @ หาก | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Radial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | - | |
| ปฐมนิเทศ | Side View | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 50mA |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Not Applicable |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.41.0000 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Sharp Microelectronics GL4100
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GL4100 | GL41A/25 | GL41A-E3/96 | GL41J-E3/97 |
| ผู้ผลิต | Sharp Microelectronics | Electro-Films (EFI) / Vishay | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Radial | - | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-213AB, MELF (Glass) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TA) | - | - | - |
| ปฐมนิเทศ | Side View | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Surface Mount | Surface Mount |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 50mA | - | - | - |
| มุมมอง | 180° | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | - | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | SUPERECTIFIER® | SUPERECTIFIER® |
| ความเข้มของการแผ่รังสี (IE) Min @ หาก | - | - | - | - |
| ความยาวคลื่น | 950nm | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | - | - | - |
| ชนิด | Infrared (IR) | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GL4100 PDF และเอกสาร Sharp Microelectronics สำหรับ GL4100 - Sharp Microelectronics
GL41A/25Electro-Films (EFI) / VishayGL41A-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO213ABGL41J-E3/97Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO213ABGL41B-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO213ABGL41B-E3/76Electro-Films (EFI) / VishayGL41GHE3/97Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO213ABGL41G-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO213ABGL41A-E3/76Electro-Films (EFI) / VishayGL41J-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
GL41B-3ROCGL40N-ST23RGLEAMGL41D/25Electro-Films (EFI) / VishayGL41D/46Electro-Films (EFI) / VishayGL41G-2Electro-Films (EFI) / VishayGL41D-6056Electro-Films (EFI) / VishayGL41G-TRGSGL41G/25Electro-Films (EFI) / VishayGL41G-E3/76Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที