ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2136R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N2136R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N2136R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 450 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 450 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N2136R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2136R | 1N2135RA | 1N2137 | 1N2136RA |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 450 V | 25 µA @ 400 V | 25 µA @ 500 V | 25 µA @ 450 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A | 1.25 V @ 200 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 450 V | 400 V | 500 V | 450 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) | DO-5 (DO-203AB) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 70A | 70A | 70A | 70A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
1N2135RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 400V 70A DO51N2137Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 70A DO51N2136RAMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 450V 70A DO51N2136Solid State Inc.DIODE GEN PURP 450V 70A DO51N2135RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5
1N2137ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 500V 60A DO51N2137AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 70A DO5
1N2136ARMicrosemiIGBT Module1N2137Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 70A DO51N2135RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO51N2137ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 70A DO51N2136AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 450V 70A DO51N2136ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 450V 70A DO51N2136RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 450V 70A DO51N2136Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 450V 70A DO51N2136RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 450V 70A DO51N2137AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 60A DO51N2135RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที