ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2159R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N2159R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N2159R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 500 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N2159R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2159R | 1N2156 | 1N2160R | 1N2160 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 500 V | 200 V | 600 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 500 V | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Box | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 (DO-203AB) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 40A | 25A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
1N2156Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N2160RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5
1N2216AIRIGBT Module1N2160Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 25A DO51N2160Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 40A DO51N2217AIRIGBT Module1N2216IRIGBT Module1N2159Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 25A DO51N2158RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N2156Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 40A DO51N2217IRIGBT Module1N2158Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 25A DO51N2159Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO51N2158Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N2157RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N2218IRIGBT Module1N2168ANJS1N2156RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที